G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

14.4 13.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.8 8.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 26
Скорость чтения, Гб/сек

13.2 14.4
Скорость записи, Гб/сек

8.4 10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2070 2497

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB

Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB

модули RAM

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB

Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB

Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB

модули RAM

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Kingston 9905713-028.A00G 8GB

Kingston 9905713-028.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB

Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB

Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB

A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB

Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB

модули RAM