RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Comparez
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Note globale
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Note globale
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
75
Autour de 69% latence réduite
Raisons de considérer
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.3
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
75
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
9.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2269
1981
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link