RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Comparez
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Note globale
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
29
Autour de 21% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2269
3246
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link