RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Comparez
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Note globale
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
76
Autour de 70% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.6
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
76
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2269
1624
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link