RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Comparez
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Note globale
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
35
Autour de 34% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
35
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2269
2731
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link