RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Comparez
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Note globale
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
24
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
24
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2269
2839
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link