RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Comparez
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Note globale
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
27
Autour de 15% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.7
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
27
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
16.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2269
3767
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link