RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Comparez
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Note globale
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
33
Autour de 30% latence réduite
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.1
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
33
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
20.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2269
3260
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link