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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Comparez
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Note globale
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Note globale
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
31
Autour de 26% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2269
3094
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
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Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
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