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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Comparez
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Note globale
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
7.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
23
Autour de -10% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
21
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2269
2276
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
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