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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Comparez
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Note globale
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Note globale
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
57
Autour de 60% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
57
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2269
2377
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
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Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
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