RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Comparez
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Note globale
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
28
Autour de 18% latence réduite
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2269
3480
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link