RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Comparez
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Note globale
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
42
Autour de -40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
3158
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
‹
›
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link