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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Comparez
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Note globale
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
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Raisons de considérer
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
41
Autour de -37% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
30
Vitesse de lecture, GB/s
14.1
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2240
2732
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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