RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Comparez
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Note globale
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Note globale
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
41
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
35
Vitesse de lecture, GB/s
14.1
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2240
2735
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link