RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Сравнить
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB против Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
41
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
35
Скорость чтения, Гб/сек
14.1
15.4
Скорость записи, Гб/сек
8.2
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2240
2735
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link