RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
51
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.9
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.7
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
26
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
22.9
Скорость записи, Гб/сек
8.1
17.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
3962
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link