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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Comparez
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Note globale
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
83
Autour de 51% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
83
Vitesse de lecture, GB/s
14.1
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2240
1774
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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