RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
39
Autour de 5% latence réduite
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
39
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2852
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link