RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
76
Autour de 51% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
76
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
1718
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 9905403-559.A00LF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link