RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
76
En 51% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
76
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
1718
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Mushkin 996902 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link