RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
37
Autour de -42% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
26
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2437
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB Comparaison des RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link