RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
30
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3308
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link