RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
10
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
50
Autour de -47% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
34
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
8.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
2278
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link