RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
37
Autour de -76% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
21
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3089
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link