RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
37
Autour de -61% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.3
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.1
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
23
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
20.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
18.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
4173
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link