RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
35
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
32
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
1897
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link