RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
35
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
1897
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link