RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
48
Autour de 23% latence réduite
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.7
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
48
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
15.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3047
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link