RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
48
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
48
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3047
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link