RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
37
Autour de -16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.6
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.4
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
22.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
16.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3837
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link