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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
37
Por volta de -16% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.6
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.4
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
22.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
16.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3837
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
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