RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
37
Autour de -3% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
36
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
9.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2090
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link