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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
総合得点
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
13.2
9.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.4
7.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
36
37
周辺 -3% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
36
読み出し速度、GB/s
13.2
9.1
書き込み速度、GB/秒
8.4
7.9
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2090
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