RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
37
Autour de -54% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.5
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
24
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2171
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston DDR3 1333G 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link