RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
47
Autour de -74% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.8
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
27
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
17.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
3963
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link