Comparaison de la RAM Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB

Note globale

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

11.8 11.7

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

21300 19200

Autour de 1.11% bande passante supérieure

Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

31 36

Autour de -16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

16.8 15.8

Valeur moyenne dans les tests

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2497 3154

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns