Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Punteggio complessivo
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Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB

Differenze

  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    11.8 left arrow 11.7
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 19200
    Intorno 1.11% larghezza di banda superiore
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    31 left arrow 36
    Intorno -16% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    16.8 left arrow 15.8
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    36 left arrow 31
  • Velocità di lettura, GB/s
    15.8 left arrow 16.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    11.8 left arrow 11.7
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2497 left arrow 3154
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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