RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
36
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.7
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2497
3154
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link