RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
68
Autour de 46% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
68
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
1812
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link