Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Средняя оценка

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

37 68

Около 46% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.4 8.1

Среднее значение в тестах

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB

Причины выбрать
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.2 13.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 68
Скорость чтения, Гб/сек

13.2 16.2
Скорость записи, Гб/сек

8.4 8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2143 1812

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB

модули RAM

Mushkin 991586 2GB

Mushkin 991586 2GB

Kingston 9905625-139.A00G 16GB

Kingston 9905625-139.A00G 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Kingston 99U5713-002.A00G 4GB

Kingston 99U5713-002.A00G 4GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB

INTENSO 5641162 8GB

INTENSO 5641162 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

модули RAM

SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB

Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Kingston 9965662-004.A00G 16GB

Kingston 9965662-004.A00G 16GB

модули RAM