RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Comparez
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Note globale
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
41
Autour de -28% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2176
3625
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link