RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Confronto
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
41
Intorno -28% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
32
Velocità di lettura, GB/s
13.3
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2176
3625
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link