RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Comparez
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Note globale
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
41
Autour de -28% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2176
2858
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link