RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Comparez
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Note globale
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
41
Autour de -141% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.1
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.0
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
17
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
22.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
18.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2176
3847
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link