RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Comparar
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
41
Por volta de -141% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.1
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.0
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
17
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
22.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
18.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2176
3847
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link