Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB

Note globale
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Note globale
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Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB

Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB

Différences

  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.3 left arrow 6.4
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    24 left arrow 41
    Autour de -71% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    13.7 left arrow 13.3
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 10600
    Autour de 1.81 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    41 left arrow 24
  • Vitesse de lecture, GB/s
    13.3 left arrow 13.7
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.3 left arrow 6.4
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2176 left arrow 2046
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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