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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Comparez
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Note globale
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
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Raisons de considérer
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Raisons de considérer
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
41
Autour de -71% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
24
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2176
2854
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
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Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
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