RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Comparez
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Note globale
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
41
Autour de -64% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.2
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.1
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
25
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
20.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
18.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2176
4046
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link