RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
31
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2477
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link